Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC859-C
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BC859
BC859-C Hakkında
BC859-C, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP tipi küçük sinyal bipolar transistördür. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 100 mA kolektör akımı ve 30 V breakdown voltajı ile tasarlanmıştır. 100 MHz transition frequency'si sayesinde orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilme kapasitesi geniş sıcaklık aralığında işletilmesini sağlar. Maksimum 250 mW güç tüketimiyle düşük güç uygulamalarında yer alır. DC akım kazancı (hFE) 420 minimum değeriyle iyi sinyal amplifikasyonu sağlar. Ses amplifikasyonu, anahtarlama devreleri ve genel amaçlı sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok