Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BC858CLT3G

TRANS PNP 30V 100MA SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BC858

BC858CLT3G Hakkında

BC858CLT3G, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı pakette sunulmaktadır. Maksimum 100 mA kollektör akımı, 30 V kollektör-emitter gerilimi ve 300 mW güç tüketim kapasitesine sahip bu transistör, genel amaçlı anahtarlama ve darbe amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 100 MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama işlemlerine uygun olup, -55°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma sağlar. Düşük kesme akımı (15nA max ICBO) ve yeterli akım kazancı (minimum 420 @ 2mA) ile güç tüketiminin az olduğu devreler, ses amplifikatörleri ve dijital kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 300 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok