Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BC858CLT1G

TRANS PNP 30V 100MA SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BC858

BC858CLT1G Hakkında

BC858CLT1G, onsemi tarafından üretilen yüksek hızlı PNP bipolar jonksiyon transistörüdür. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 30V maksimum kolektor-emiter gerilimi ve 100mA maksimum kolektor akımı ile çalışmaktadır. 100MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 300mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ve geniş -55°C ~ 150°C işletme sıcaklık aralığı sayesinde otoomotiv, endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında tercih edilir. 420 minimum DC Current Gain (hFE) değeri ile güvenilir amplifikasyon sağlar. 650mV maksimum Vce saturation voltajı ile verimli anahtar işlemi gerçekleştirir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 300 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok