Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BC858CE6433HTMA1

TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BC858

BC858CE6433HTMA1 Hakkında

BC858CE6433HTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür. SOT-23 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 30V maksimum Vce ve 100mA maksimum kolektör akımı ile çalışır. 250MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 420 minimum DC akım kazancı (2mA, 5V'de) ile düşük akım amplifikasyonu gerektiren devrelerde uygulanır. 330mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ile sinyal işleme, anahtarlama ve amplifikasyon gibi genel amaçlı BJT uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında kullanıma uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition 250MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Not For New Designs
Power - Max 330 mW
Supplier Device Package PG-SOT23
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok