Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC858CE6327HTSA1
TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BC858
BC858CE6327HTSA1 Hakkında
BC858CE6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipi bipolar transistördür. SOT-23 (TO-236-3) yüzey montaj paketi ile sunulan bu komponent, maksimum 30V Vce breakdown voltajı ve 100mA kolektör akımına sahiptir. 250MHz transition frequency ile orta hızlı uygulamalarda kullanılabilir. DC current gain (hFE) değeri 2mA/5V koşulunda minimum 420'dir. 330mW maksimum güç dağıtma kapasitesi ile düşük sinyal amplifikasyonu, anahtarlama ve genel amaçlı BJT uygulamalarında yer alır. Operating temperature range'i 150°C (TJ) ile sınırlı olup, düşük gürültü ve düşük güç tüketimi gerektiren devrelerde tercih edilebilir. Not: Bu komponent yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 330 mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok