Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BC858BL3E6327

TRANS PNP 30V 0.1A SOT23

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BC858

BC858BL3E6327 Hakkında

BC858BL3E6327, Infineon Technologies tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılmaktadır. TO-236-3 (SOT-23) paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 30V collector-emitter voltajında ve 100mA collector akımında çalışabilir. 250MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. Düşük güç tüketimi (250mW) ve kompakt boyutu sayesinde taşınabilir cihazlar, tüketici elektroniği ve endüstriyel kontrol devrelerinde yaygın olarak uygulanır. Maksimum 150°C işletme sıcaklığında güvenilir performans sağlar ve 220'nin minimum DC akım kazancı ile kararlı amplifikasyon karakteristiği sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition 250MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 250 mW
Supplier Device Package PG-SOT23
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok