Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC858BE6327HTSA1
TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BC858
BC858BE6327HTSA1 Hakkında
BC858BE6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen düşük güçlü PNP tipinde bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 100mA kolektör akımı ve 30V reverse bias darbeye dayanıklılığına sahiptir. 250MHz geçiş frekansı ile orta hızlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 330mW maksimum güç dağıtımı ve 220 minimum DC akım kazancı (2mA, 5V'de) ile sinyalin kontrolü ve yönetiminde tercih edilir. Tüketici elektroniği, ses amplifikatörleri, anahtarlama devreleri ve düşük sinyal uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Kompakt yapısı nedeniyle yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarında ekonomik çözüm sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 220 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 330 mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok