Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC858B-QR
TRANS PREBIAS NPN/PNP
BC858B-QR Hakkında
BC858B-QR, Nexperia tarafından üretilen PNP tipinde bir bipolar junction transistör (BJT) olup, düşük güç uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montajlı paket ile sunulan bu transistör, 100mA kolektör akımı ve 100MHz transit frekansı ile sinyal amplifikasyon ve anahtarlama devrelerinde çalışmaya uygun tasarlanmıştır. 220 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 30V kolektör-emitter kesilim gerilimi, genel amaçlı ve tüketici elektroniği uygulamalarında kullanılabilmesini sağlamaktadır. Maksimum 250mW güç tüketimi ile ön yüklemeli (prebias) yapılandırmalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklığı aralığında kararlı performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 220 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250 mW |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok