Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC858B
BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BC858B
BC858B Hakkında
BC858B, Rochester Electronics tarafından üretilen genel amaçlı PNP bipolar junction transistördür. Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan bu bileşen, 100 mA'e kadar kolektör akımı ve 100 MHz transition frekansı ile çalışabilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında 250 mW güç tüketim kapasitesine sahiptir. 30V maksimum collector-emitter breakdown voltajı ile uygun şekilde tasarlanan devrelerde kullanılabilir. Düşük sinyal anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında, ses frekansı ve RF devreleri, genel amaçlı lojik devreleri ve sürücü devreleri gibi çeşitli elektronik sistemlerde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 220 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok