Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BC858AE6327HTSA1

TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BC858

BC858AE6327HTSA1 Hakkında

BC858AE6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipi bipolar jonksiyon transistörüdür. SOT-23 yüzey monte paketinde sunulan bu komponent, maksimum 30V kolektör-emitör gerilimi ve 100mA kolektör akımında çalışabilir. 250MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. DC akım kazancı (hFE) 2mA, 5V koşullarında minimum 125 değerindedir. Maksimum 330mW güç tüketimine sahip olan komponent, genel amaçlı anahtarlama devreleri, ses amplifikatörleri, sinyal işleme ve düşük güçlü DC motor kontrolü gibi uygulamalarda tercih edilir. 150°C maksimum işletme sıcaklığı ile endüstriyel ve ticari uygulamalara uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition 250MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Not For New Designs
Power - Max 330 mW
Supplier Device Package PG-SOT23
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok