Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC857CQBZ
BC857CQB/SOT8015/DFN1110D-3
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- BC857
BC857CQBZ Hakkında
BC857CQBZ, Nexperia tarafından üretilen yüksek kazançlı silikon NPN BJT transistördür. DFN1110D-3 (3-XDFN Exposed Pad) yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, düşük sinyalleme uygulamalarında kullanılır. 100mA maksimum kolektör akımı, 45V VCEO darbelenme gerilimi ve 340mW güç dağıtımı kapasitesi ile dizayn edilmiştir. 420'nin minimum DC akım kazancı (hFE) ile anahtarlama ve düşük seviye sinyal amplifikasyonu devrelerinde uygulanabilir. 150°C çalışma sıcaklığına dayanıklıdır. Taşıyıcı paket wettable flank özelliğine sahip olup, endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Market |
| Power - Max | 340 mW |
| Supplier Device Package | DFN1110D-3 |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok