Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BC857CQAZ

BC857XQA SERIES - 45 V, 100 MA P

Paket/Kılıf
3-XDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
BC857

BC857CQAZ Hakkında

BC857CQAZ, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP tipi bipolar bağlaç transistördür. 45V collector-emitter gerilim sınırlaması ve maksimum 100mA collector akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılmaya uygun bir komponenttir. 280mW güç dağılımı kapasitesi ile, DC akım kazancı (hFE) 420 (@ 2mA, 5V koşullarında) olup, 100MHz transition frekansında çalışabilir. Surface mount DFN1010D-3 paketinde sunulan bu transistör, sinyal işleme, anahtarlama ve amplifikasyon devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu bileşen, kompakt tasarımlar ve yüksek yoğunluk elektronik devreler için tercih edilen bir seçenektir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 3-XDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power - Max 280 mW
Supplier Device Package DFN1010D-3
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok