Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC857CMB,315
NEXPERIA BC857CMB - SMALL SIGNAL
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 3-XFDFN
- Seri / Aile Numarası
- BC857
BC857CMB,315 Hakkında
BC857CMB, Nexperia tarafından üretilen küçük sinyal PNP bipolar junction transistörüdür. Surface mount DFN1006B-3 paketinde sunulan bu transistör, 100 mA maksimum collector akımı ve 250 mW güç dağıtım kapasitesine sahiptir. 100 MHz transition frequency ile orta hızlı uygulamalar için uygundur. 45V maksimum collector-emitter breakdown voltajı ve 300mV saturation voltajı ile genel amaçlı amplifikasyon, switching ve sinyal işleme devrelerinde kullanılır. 420 minimum DC current gain (hFE) ile kontrollü amplifikasyon sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, özellikle portable cihazlar, tüketici elektroniği ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250 mW |
| Supplier Device Package | DFN1006B-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok