Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC857CE6327HTSA1
TRANS PNP 45V 100MA SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BC857
BC857CE6327HTSA1 Hakkında
BC857CE6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, surface mount SO-236-3/SOT23-3 paketinde sunulmaktadır. Maksimum 45V Vce (Collector-Emitter) gerilimi ve 100mA maksimum collector akımı ile çalışmaya uygun olan bu transistör, genel amaçlı anahtarlama ve küçük sinyal amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 250MHz geçiş frekansı ve minimum 420 hFE DC akım kazancı (2mA, 5V'da) ile koşullarda performans gösterir. Maksimum 330mW güç tüketimi ve 150°C maksimum işletme sıcaklığına sahiptir. Düşük kollektör kesme akımı (15nA ICBO) sayesinde cihazlarda minimum sızıntı akımı oluşturur. Ses amplifikatörleri, kontrol devreleri, sensör uygulamaları ve genel elektronik cihazlardaki anahtarlama işlemlerinde yaygın olarak tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 330 mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok