Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC857C/DG/B4R
TRANSISTOR GEN PURP
BC857C/DG/B4R Hakkında
BC857C, Nexperia tarafından üretilen genel amaçlı PNP bipolar transistördür. Surface mount TO-236-3 (SOT-23-3) paketinde sunulan bu transistör, düşük güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 100 mA maksimum kollektör akımı, 100 MHz transition frequency ve 45 V maksimum Vce(br) breakdown voltajı ile işaretlenmiştir. 2 mA, 5V koşullarında minimum 125 DC current gain (hFE) sağlar. 250 mW maksimum güç derecelendirmesi ve -40°C ile +150°C arasında çalışan sıcaklık aralığı ile ses amplifikatörleri, anahtarlama devreleri, genel sinyal işleme ve aşırı akım koruma uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 125 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250 mW |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok