Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC857C/DG/B3,215
TRANS GEN PURPOSE TO-236AB
BC857C/DG/B3,215 Hakkında
BC857C, Nexperia tarafından üretilen genel amaçlı PNP bipolar junction transistörüdür (BJT). TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, düşük sinyal uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevlerini gerçekleştirir. Maksimum 100 mA kolektör akımı ve 250 mW güç disipasyon kapasitesi ile küçük sinyallerin işlenmesine ve lojik devrelerinin kontrol edilmesine uygundur. 100 MHz geçiş frekansı sayesinde radyo frekans ve hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 45V kolektör-emiter kırılma gerilimi, çeşitli voltaj seviyelerindeki sistemlere entegrasyon sağlar. Düşük 650 mV doyum gerilimi ile enerji verimliliği sunar. Tüketici elektroniği, ses amplifikasyonu, otomasyon ve kontrol devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 125 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250 mW |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok