Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BC857C/DG/B3,215

TRANS GEN PURPOSE TO-236AB

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BC857C

BC857C/DG/B3,215 Hakkında

BC857C, Nexperia tarafından üretilen genel amaçlı PNP bipolar junction transistörüdür (BJT). TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, düşük sinyal uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevlerini gerçekleştirir. Maksimum 100 mA kolektör akımı ve 250 mW güç disipasyon kapasitesi ile küçük sinyallerin işlenmesine ve lojik devrelerinin kontrol edilmesine uygundur. 100 MHz geçiş frekansı sayesinde radyo frekans ve hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 45V kolektör-emiter kırılma gerilimi, çeşitli voltaj seviyelerindeki sistemlere entegrasyon sağlar. Düşük 650 mV doyum gerilimi ile enerji verimliliği sunar. Tüketici elektroniği, ses amplifikasyonu, otomasyon ve kontrol devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 250 mW
Supplier Device Package TO-236AB
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok