Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC857C-QR
TRANS PREBIAS NPN/PNP
BC857C-QR Hakkında
BC857C-QR, Nexperia tarafından üretilen PNP tipinde bir bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek frekanslı anahtarlama ve sinyal işleme uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 100mA maksimum kollektör akımı, 45V maksimum kollektör-emiter gerilimi ve 100MHz transition frequency ile, bu transistör genel amaçlı amplifikasyon, ön-önyükleme (prebias), frekans şekillendirme ve analog sinyal işleme devrelerinde yer alır. 420 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 650mV maksimum doyum gerilimi ile tasarımında verimli çalışma sağlar. TO-236-3 (SOT-23-3) SMD paketinde sunulan bu komponent, -55°C ile +150°C arasında güvenilir bir şekilde çalışır ve 250mW güç tüketimine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250 mW |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok