Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC857BQBZ
BC857BQB/SOT8015/DFN1110D-3
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- BC857
BC857BQBZ Hakkında
BC857BQBZ, Nexperia tarafından üretilen, Surface Mount DFN1110D-3 paketinde sunulan PNP bipolar transistördür. 100mA maksimum collector akımı ve 340mW güç dağıtma kapasitesi ile düşük sinyal uygulamalarında kullanıma uygundur. 200 minimum DC current gain (hFE) değeri ile gerilim amplifikasyon devreleri, anahtarlama uygulamaları ve sinyal işleme sistemlerinde tercih edilir. 45V collector-emitter breakdown voltajı ile güvenli çalışma aralığı sağlar. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir. Tüketici elektroniği, endüstriyel kontrol devreleri ve audio amplifikatör uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Market |
| Power - Max | 340 mW |
| Supplier Device Package | DFN1110D-3 |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok