Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC857BQAZ
NEXPERIA BC857 - 45 V, 100 MA PN
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- BC857
BC857BQAZ Hakkında
BC857BQAZ, NEXPERIA tarafından üretilen bir PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). 45V collector-emitter breakdown voltajı ve 100mA maksimum collector akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 100MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. Surface mount 3-XDFN paketinde sunulan bu transistör, 280mW maksimum güç tüketimine sahiptir. DC current gain (hFE) minimum 220 değeri (2mA, 5V koşullarında) ile dengeli amplifikasyon sağlar. 400mV saturation voltajı (5mA base akımında, 100mA collector akımında) ile düşük ön voltaj düşümü gösterir. -40°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, ses/radyo frekans amplifikatörleri, sinyal anahtarlama devreleri ve genel amaçlı sayısal/analog uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 220 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 280 mW |
| Supplier Device Package | DFN1010D-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok