Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BC857BQAZ

TRANS PNP 45V 100MA DFN1010D-3

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
3-XDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
BC857

BC857BQAZ Hakkında

BC857BQAZ, Nexperia tarafından üretilen yüksek frekanslı PNP bipolar junction transistördür. 45V maksimum collector-emitter gerilimi ve 100mA maksimum collector akımı ile sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 100MHz transition frequency sayesinde hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 280mW güç dağıtım kapasitesi ile düşük-orta seviye sinyal işleme devreleri, ses amplifikatörleri, RF devre uygulamaları ve genel amaçlı analog anahtarlama işlemlerinde tercih edilir. DFN1010D-3 yüzey montajlı (SMD) paket ile kompakt PCB tasarımlarına uygun olup, 150°C çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 3-XDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power - Max 280 mW
Supplier Device Package DFN1010D-3
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok