Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BC857BLT3G

TRANS PNP 45V 100MA SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BC857

BC857BLT3G Hakkında

BC857BLT3G, onsemi tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 45V collector-emitter gerilim desteği ve 100mA maksimum collector akımı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 100MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 300mW maksimum güç tüketimi ve 220 (minimum DC current gain) özelliği sayesinde sinyal kuvvetlendirme, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılır. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklığı aralığında endüstriyel ve tüketici uygulamalarında güvenilir performans sağlar. 650mV maksimum saturation voltajı ve 15nA collector cutoff akımı ile düşük kaçak akıma sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 300 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok