Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC857BLP4-7B
TRANS PNP 45V 0.1A DFN1006H4-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 3-XFDFN
- Seri / Aile Numarası
- BC857
BC857BLP4-7B Hakkında
BC857BLP4-7B, Diodes Incorporated tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) bileşenidir. Surface mount DFN1006 paketinde sunulan bu transistör, 45V Vce(br)dss ile 100mA maksimum kolektör akımına sahiptir. 100MHz transition frequency ve 250mW güç derecelendirmesiyle, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 220 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 650mV saturasyon gerilimi ile düşük seviye sinyal işleme, ses amplifikasyonu, LED sürme ve entegre devre lojik kontrolü gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığıyla endüstriyel ve geniş sıcaklık aralığında kullanılan tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 220 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250 mW |
| Supplier Device Package | X2-DFN1006-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok