Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BC857BLP4-7

TRANS PNP 45V 0.1A 3-DFN

Paket/Kılıf
3-XFDFN
Seri / Aile Numarası
BC857

BC857BLP4-7 Hakkında

BC857BLP4-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). 45V breakdown voltajı ile düşük güç uygulamalarında kullanılan bir anahtarlama ve amplifikasyon bileşenidir. Maksimum 100mA kolektör akımı ve 250mW güç yeteneği ile sinyal işleme, ses amplifikasyonu, röle kontrolü ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde uygulanır. Surface mount 3-XFDFN (X2-DFN1006-3) paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sağlar. 100MHz geçiş frekansı ve 220 tipik DC akım kazancı (hFE) ile hafif sinyal düzeyinde etkili performans gösterir. Kompakt form faktörü sayesinde yoğun PCB tasarımlarına uygun bir seçenektir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 3-XFDFN
Part Status Active
Power - Max 250 mW
Supplier Device Package X2-DFN1006-3
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok