Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC857BE6327HTSA1
TRANS PNP 45V 100MA SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BC857
BC857BE6327HTSA1 Hakkında
BC857BE6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistördür (BJT). SOT23-3 (TO-236-3) paketinde sunulan bu transistör, 45V kollektör-emiter breakdown voltajı ve 100mA maksimum kollektör akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 250MHz geçiş frekansı ile orta hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. DC akım kazancı (hFE) minimum 220'dir (2mA, 5V koşullarında). Maksimum 330mW güç dissipasyonu kapasitesi ile sinyaleme, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. 650mV doyum voltajı (5mA, 100mA koşullarında) ve 15nA ICBO ile karakterize edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Yüksek entegrasyona sahip cihazlarda yer tasarrufu gerektiren uygulamalar için uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 220 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 330 mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok