Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC857B/DG/B4R
TRANSISTOR GEN PURP
BC857B/DG/B4R Hakkında
BC857B/DG/B4R, Nexperia tarafından üretilen genel amaçlı PNP bipolar transistörüdür. TO-236-3 (SOT-23-3) SMD paketinde sunulan bu bileşen, düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve yükselteç (amplifier) işlevlerinde kullanılır. 100 mA maksimum kolektör akımı, 45 V collector-emitter breakdown voltajı ve 250 mW maksimum güç disipasyonu ile sinyal işleme, ses amplifikasyonu, kontrol devreleri ve mikro-controller uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 100 MHz transition frequency sayesinde yüksek frekans anahtarlama uygulamalarına uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, düşük maliyet ve kompakt yapısı nedeniyle endüstriyel ve tüketici elektroniklerinde standart bir seçimdir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 125 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250 mW |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok