Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BC857B/DG/B3,215

TRANS GEN PURPOSE TO-236AB

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BC857B

BC857B/DG/B3,215 Hakkında

BC857B/DG/B3,215, Nexperia tarafından üretilen genel amaçlı PNP bipolar junction transistördür. Surface mount TO-236-3 (SOT-23-3) paketinde sunulan bu transistör, düşük sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 100mA kolektör akımı ve 100MHz geçiş frekansı ile orta hızlı işlemlere uygun bir komponenttir. 45V maksimum VCE(Br) dağılım gerilimi ve 250mW güç tüketimi ile kompakt tasarımlar için idealdir. Cep telefonu, ses amplifikatörleri, sensör arayüzleri ve genel analog sinyal işleme devrelerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. Bileşen kullanım dışı (obsolete) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 250 mW
Supplier Device Package TO-236AB
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok