Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC857B RFG
TRANSISTOR, PNP, -45V, -0.1A, 22
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BC857B
BC857B RFG Hakkında
BC857B RFG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23-3 (SC-59) yüzey montajlı paket içinde sunulan bu komponent, düşük güç uygulamalarında anahtar ve amplifikasyon işlevleri için tasarlanmıştır. -45V kolektör-emitör kırılma voltajı ve maksimum 100mA kolektör akımı ile sınırlı güç bütçesine sahip devreler için uygundur. 100MHz geçiş frekansı sayesinde orta frekanslı uygulamalarda kullanılabilir. -55°C ile +150°C geniş sıcaklık aralığında çalışmaya ve 200mW maksimum güç dağıtımına sahiptir. DC akım kazancı (hFE) 220 (minimum), 2mA kolektör akımında ve 5V VCE'de ölçülür. Düşük seviye sinyal işleme, anahtar uygulamaları ve entegre devre kütüphaneleri için yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 220 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok