Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BC857B-QR

TRANS PREBIAS NPN/PNP

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BC857B

BC857B-QR Hakkında

BC857B-QR, Nexperia tarafından üretilen yüksek hızlı PNP bipolar junction transistördür. Surface mount SOT-23-3 (TO-236-3) paketinde sunulan bu komponent, özellikle anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 100 mA maksimum kollektör akımı, 220 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 100 MHz geçiş frekansı ile hızlı sinyal işleme gerektiren devrelere uygun. 45V maksimum Vce(br) derecelendirmesi ile geniş voltaj uygulamalarında çalışabilir. 250mW maksimum güç tüketimi ile düşük enerji tüketen tasarımlar için idealdir. Tipik kullanım alanları arasında ses amplifikatörleri, darbe ve frekans devresi uygulamaları, lojik seviye kaydırıcıları ve zayıf sinyal amplifikasyonu yer alır. -55°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 250 mW
Supplier Device Package TO-236AB
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok