Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC857AQBAZ
BC857AQB/SOT8015/DFN1110D-3
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- BC857AQ
BC857AQBAZ Hakkında
BC857AQBAZ, Nexperia tarafından üretilen küçük işaret PNP bipolar junction transistörüdür. 3-XDFN Exposed Pad paketinde sunulan bu bileşen, düşük güç tüketimine ve kompakt tasarımına sahiptir. Maksimum 100mA kolektor akımı, 45V kırılma gerilimi ve 340mW güç yönetim kapasitesi ile analog sinyal işleme, amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. DC akım kazancı (hFE) 110 minimum değeri ile 2mA, 5V koşullarında çalışır. 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığı destekler. Tüketici elektroniği, oto kontrolü, endüstriyel kontrol devreleri ve düşük sinyal amplifikasyonu gerektiğinde tercih edilir. Wettable flank özelliği ile yüksek güvenilirlik sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 110 @ 2mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Market |
| Power - Max | 340 mW |
| Supplier Device Package | DFN1110D-3 |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok