Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC857AQAZ
TRANS PNP 45V 100MA DFN1010D-3
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- BC857
BC857AQAZ Hakkında
BC857AQAZ, Nexperia tarafından üretilen bir PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, 3-XDFN Exposed Pad (DFN1010D-3) yüzey montajlı paketinde sunulmaktadır. 45V maksimum collector-emitter gerilimi ve 100mA maksimum collector akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılan bir transistördür. 100MHz transition frequency ve 125 minimum DC gain (hFE) özellikleriyle hızlı anahtarlama ve amplifikasyon işlemleri gerçekleştirebilir. 280mW maksimum güç seviyesi, küçük sinyal amplifikasyonu, anahtarlama devreleri, ses frekansı amplifikatörleri ve genel amaçlı düşük güç uygulamalarında yer bulur. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklığı aralığında çeşitli endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 125 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 280 mW |
| Supplier Device Package | DFN1010D-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok