Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BC857AMB,315

TRANS PNP 45V 100MA DFN1006B-3

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
3-XFDFN
Seri / Aile Numarası
BC857

BC857AMB,315 Hakkında

BC857AMB,315, Nexperia tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür. 45V collector-emitter breakdown voltajı ve 100mA maksimum collector akımı ile sinyalleme ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 3-XFDFN (DFN1006B-3) yüzey montaj paketinde sunulur. 100MHz transition frequency ile orta frekanslı RF ve ses devrelerinde etkin çalışır. 250mW güç kapasitesi, 2mA/5V koşullarında 125 minimum DC current gain (hFE) ve 300mV maksimum VCE saturation voltajı özellikleriyle sunulur. Düşük ölçülerden dolayı taşınabilir cihazlar, ses amplifikatörleri ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde tercih edilir. 150°C maksimum işletme sıcaklığında güvenilir performans sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 3-XFDFN
Part Status Active
Power - Max 250 mW
Supplier Device Package DFN1006B-3
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok