Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC857AE6327HTSA1
TRANS PNP 45V 100MA SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BC857
BC857AE6327HTSA1 Hakkında
BC857AE6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT23-3 yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, düşük sinyal uygulamaları, anahtarlama devreleri ve amplifikasyon işlemlerinde kullanılır. Maksimum 100 mA kollektör akımı ve 45V kollektör-emitter durdurma gerilimi ile çalışabilir. 250 MHz transition frequency ile orta frekanslı uygulamalara uygundur. 330 mW maksimum güç tüketimi ve 125 minimum DC akım kazancı ile ses frekansı ve RF devrelerde tercih edilir. Düşük collector cutoff akımı (15nA) ve minimize edilmiş leakage current'ı ile enerji tasarrufu sağlayan devrelere entegre edilebilir. Notasyonu kullanılan ürün artık yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 125 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 330 mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok