Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC856BWE6327BTSA1
TRANS PNP 65V 0.1A SOT-323
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- SC-70
- Seri / Aile Numarası
- BC856
BC856BWE6327BTSA1 Hakkında
BC856BWE6327BTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipinde bipolar junction transistörüdür (BJT). SOT-323 (SC-70) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, maksimum 65V collector-emitter gerilimi ve 100mA collector akımı ile çalışabilir. 250MHz geçiş frekansı sayesinde orta hızlı anahtarlama uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. 220 minimum DC akım kazancı (hFE) ile 2mA/5V koşullarında belirtilmiştir. Maksimum 250mW güç tüketimi ve 150°C işletme sıcaklığına kadar dayanabilir. 650mV maksimum Vce saturation gerilimi ile düşük kaybı anahtarlama özelliği sağlar. Ses amplifikatörleri, sinyal işleme devreleri, hızlı anahtarlama uygulamaları ve RF modülleri gibi elektronik tasarımlarda yaygın olarak kullanılır. Kompakt boyutu ve düşük güç tüketimi mobil ve IoT cihazlar için idealdir. Not: Bu model üretim dışı (obsolete) konumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 220 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250 mW |
| Supplier Device Package | SOT-323 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 65 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok