Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BC856BW-G

TRANS PNP 65V 100A SOT323

Paket/Kılıf
SC-70
Seri / Aile Numarası
BC856

BC856BW-G Hakkında

BC856BW-G, Comchip Technology tarafından üretilen PNP tipinde bir bipolar junction transistör (BJT) olup, SOT-323 (SC-70) yüksek entegrasyon paketinde sunulmaktadır. 65V maksimum collector-emitter gerilimi ve 100mA maksimum collector akımı ile çalışabilen bu transistör, 100MHz transition frequency'ye sahiptir. DC current gain (hFE) değeri 2.2mA collector akımında ve 5V Vce'de minimum 220 olarak belirtilmiştir. 150mW maksimum güç dağıtım kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında, sinyal amplifikasyonu, anahtarlama ve modulasyon devrelerinde kullanılmaktadır. -65°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olan BC856BW-G, kompakt boyutu nedeniyle yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarında tercih edilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 220 @ 2.2mA, 5V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SC-70, SOT-323
Part Status Active
Power - Max 150 mW
Supplier Device Package SOT-323
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 65 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok