Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BC856BLT3G

TRANS PNP 65V 100MA SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BC856

BC856BLT3G Hakkında

BC856BLT3G, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan bu transistör, 65V maksimum collector-emitter voltajı ve 100mA maksimum collector akımıyla küçük sinyal uygulamalarında kullanılır. 100MHz transition frequency ile yüksek hızlı anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde yer alabilir. 300mW güç dağıtımı kapasitesiyle düşük güçlü elektronik tasarımlarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, ses amplifikatörleri, sinyal işleme devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 300 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 65 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok