Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BC856BLT1G

TRANS PNP 65V 100MA SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BC856

BC856BLT1G Hakkında

BC856BLT1G, onsemi tarafından üretilen yüksek frekans PNP bipolar junction transistördür. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 65V maksimum collector-emitter gerilimi ve 100mA maksimum collector akımı ile çalışır. 100MHz transition frequency özelliği sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 220 minimum DC akım kazancı (hFE) 2mA collector akımında 5V Vce'de sağlanır. -55°C ile +150°C arasında güvenli çalışma sağlayan geniş sıcaklık aralığı endüstriyel uygulamalara uygundur. Maksimum 300mW güç tüketimi ile düşük güçlü anahtarlama devreleri, ses amplifikatörleri, sinyal kontrolü ve genel amaçlı transistor uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 300 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 65 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok