Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC856B/DG/B4R
TRANSISTOR GEN PURP
BC856B/DG/B4R Hakkında
BC856B, Nexperia tarafından üretilen genel amaçlı PNP bipolar junction transistördür. Surface mount TO-236-3 (SOT-23) paketinde sunulan bu transistör, düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri için tasarlanmıştır. 100mA maksimum collector akımı, 100MHz transition frequency ve 65V collector-emitter breakdown voltajı ile RF ve ses frekansı devrelerinde, sinyal işleme uygulamalarında, darbe ve sinyal kontrolü devrelerinde yaygın olarak kullanılır. 250mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ve 125 minimum DC current gain özellikleri ile kompakt tasarımlı çok sayıda tüketici elektronik ürünü, endüstriyel kontrol cihazları ve haberleşme ekipmanlarında yer alır. -55°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 125 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250 mW |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 65 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok