Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC856B/DG/B3,235
TRANS GEN PURPOSE TO-236AB
BC856B/DG/B3,235 Hakkında
BC856B, Nexperia tarafından üretilen genel amaçlı PNP bipolar junction transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 100mA maksimum collector akımı ve 100MHz transition frequency ile çalışır. 65V maksimum collector-emitter breakdown voltajı ve 250mW güç kapasitesi ile audio amplifikasyon, sinyal anahtarlaması ve düşük güçlü DC anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2mA collector akımında 125 minimum DC current gain (hFE) sağlar. Maximum junction sıcaklığı 150°C'dir. Obsolete durumdadır; yeni tasarımlarda yerine BC857B veya benzer alternatif transistörler kullanılması tavsiye edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 125 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250 mW |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 65 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok