Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC856B/DG/B3235
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BC856B
BC856B/DG/B3235 Hakkında
BC856B, Rochester Electronics tarafından üretilen küçük sinyal PNP bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount TO-236-3 (SOT-23-3) paketinde sunulan bu transistör, 100 mA kolektör akımı ve 100 MHz transition frekansı ile çalışmaktadır. 125 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 65V collector-emitter breakdown voltajı ile genel amaçlı düşük sinyal amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. 250 mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ile düşük güç tüketim gerektiren devrelerde kullanılmaya uygun olup, sürücü devreler, ön amplifikatörler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 125 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250 mW |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 65 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok