Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC856B-AU_R1_000A1
SOT-23, TRANSISTOR
BC856B-AU_R1_000A1 Hakkında
BC856B-AU_R1_000A1, PANJIT tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, SO-23 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 100mA maksimum collector akımı, 200MHz transition frequency ve 330mW maksimum güç disipasyonu kapasitesine sahiptir. -50°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. 65V maksimum Vce(breakdown) ve 220 minimum DC current gain (hFE) değerleriyle karakterize edilmiştir. Anahtarlama uygulamaları, darbe devreler, amplifikasyon ve genel sinyal işleme düşük güç tüketimli tasarımlarında kullanılan uygun bir transistördür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 220 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 330 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 65 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok