Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BC856ALT1G

TRANS PNP 65V 100MA SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BC856

BC856ALT1G Hakkında

BC856ALT1G, onsemi tarafından üretilen PNP bipolar junction transistor (BJT) olup, düşük gücü ve kompakt boyutu ile elektronik devreler için tasarlanmıştır. 100 mA kolektör akımı kapasitesi, 65 V maksimum CE gerilimi ve 300 mW güç tüketim sınırı ile orta seviye anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılabilir. 100 MHz geçiş frekansı sayesinde hızlı sinyal işleme gerektiren devrelerde tercih edilir. Minimum 125 hFE DC akım kazancı ile tutarlı amplifikasyon sağlar. Surface Mount SOT-23-3 paket tipi, yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygun olup endüstriyel, tüketici elektronikleri ve oto uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 300 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 65 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok