Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC850CWE6327
BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- SC-70
- Seri / Aile Numarası
- BC850
BC850CWE6327 Hakkında
BC850CWE6327, Rochester Electronics tarafından üretilen genel amaçlı NPN bipolar junction transistördür (BJT). SC-70 (SOT-323) yüzey montajlı paket içinde gelen bu transistör, düşük sinyal amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 100 mA maksimum collector akımı, 45V collector-emitter breakdown voltajı ve 250 MHz geçiş frekansı ile orta hızlı kontrol devrelerinde, ses amplifikatörleri, logik devreleri ve sensör ön amplifikatörlerinde tercih edilir. 420 minimum DC current gain (hFE) ile sinyal amplifikasyonunda güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250 mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT323-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok