Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC850CMTF
BC850 - NPN EPITAXIAL SILICON TR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BC850
BC850CMTF Hakkında
BC850CMTF, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN epitaxial silicon bipolar junction transistördür. SOT-23-3 (SC-59, TO-236-3) yüzey montajlı paket ile sunulan bu komponent, düşük sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. 100mA maksimum kolektör akımı, 300MHz transition frequency ve 45V kolektör-emitter breakdown voltajı ile orta-frekans uygulamalarına uygundur. 310mW maksimum güç tüketimi, 420 minimum hFE kazancı (2mA, 5V'ta) ve 600mV saturasyon voltajı özellikleriyle genel amaçlı amplifikasyon ve dijital devre uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, ses ve sinyal işleme devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 310 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok