Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BC850CLT1G

TRANS NPN 45V 100MA SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BC850

BC850CLT1G Hakkında

BC850CLT1G, onsemi tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23-3 (TO-236) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 45V maksimum collector-emitter voltajı ve 100mA maksimum collector akımı ile çalışır. 100MHz transition frequency'si ile orta hızlı uygulamalara uygundur. 225mW maksimum güç tüketimi ve -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığı ile geniş uygulama yelpazesinde kullanılabilir. 420 minimum DC current gain (hFE) değeri ile sinyal amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. Audio amplifikatörleri, genel amaçlı switching uygulamaları ve sinyal işleme devrelerinde yaygın olarak kullanılan bir komponenttir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 225 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok