Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC850CE6359HTMA1
TRANS PREBIAS PNP SOT23
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BC850
BC850CE6359HTMA1 Hakkında
BC850CE6359HTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN bipolar junction transistörüdür (BJT). SOT-23-3 (TO-236-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 100mA maximum collector akımı ve 250MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 420 minimum DC current gain (hFE @ 2mA, 5V) sağlayan bu transistör, RF sinyal amplifikasyonu, ses frekansı amplifikasyonu ve dijital devre anahtarlaması gibi uygulamalarda tercih edilir. 45V breakdown voltajı ve 330mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile genel amaçlı analog ve dijital devrelerde geniş kullanım alanına sahiptir. Son satın alma (Last Time Buy) statüsünde olan bu komponent, yüksek integrasyon gerektiren endüstriyel ve tüketici elektronik ürünlerinde yaygın olarak yer almaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Max | 330 mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok