Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC850CE6359HTMA1
BC850 - LOW NOISE TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BC850
BC850CE6359HTMA1 Hakkında
BC850CE6359HTMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen düşük gürültülü NPN bipolar junction transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) SMD paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama ve küçük sinyal amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 250MHz transition frequency ve 420 minimum DC current gain (hFE) değerleri ile hızlı komütasyon gerektiren devrelere uygundur. Maksimum 100mA collector akımı ve 330mW güç yayılımı kapasitesi ile audio preamplifikatörleri, RF devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 45V breakdown voltajı ve 600mV saturation voltajı karakteristikleri ile güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 330 mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok