Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BC850BLT1G

TRANS NPN 45V 100MA SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BC850

BC850BLT1G Hakkında

BC850BLT1G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan bu transistör, maksimum 45V collector-emitter gerilimi ve 100mA collector akımı ile çalışabilir. 100MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. DC current gain (hFE) minimum 200 değerinde (2mA Ic, 5V Vce koşulunda) belirtilmiştir. 225mW maksimum güç yeteneği ile düşük güç uygulamalarında tercih edilir. Ses amplifikaytörleri, genel amaçlı anahtarlama devreleri, sinyal işleme ve düşük frekanslı amplifikasyon uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 225 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok