Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BC850BLT1

TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BC850

BC850BLT1 Hakkında

BC850BLT1, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olarak tasarlanmıştır. TO-236-3 (SOT-23) surface mount paketinde sunulan bu komponent, maksimum 45V collector-emitter gerilimi ve 100mA collector akımı kapasitesi ile çalışabilmektedir. 100MHz transition frequency özellikleri nedeniyle genel sinyal amplifikasyon, anahtarlama ve düşük frekans uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 2mA, 5V koşullarında minimum 200 DC current gain (hFE) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilen bu transistör, özellikle taşınabilir cihazlar, consumer elektronikler ve endüstriyel kontrol devreleri gibi alanlarda tercih edilmektedir. Maksimum 225mW güç tüketimi ile enerji verimli uygulamalara uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 225 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok