Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BC850BE6327HTSA1

TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BC850

BC850BE6327HTSA1 Hakkında

BC850BE6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23 (TO-236-3) yüzey montajı paketinde sunulan bu komponent, maksimum 45V kolektör-emitter gerilimi ve 100mA kolektör akımı kapasitesi ile genel amaçlı anahtarlama ve küçük sinyal amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 250MHz transition frequency'sine sahip olan BC850, düşük gürültü özelliğiyle ses devreleri, RF uygulamaları ve kontrol devrelerinde tercih edilir. Maximum 330mW güç tüketimi ve 150°C çalışma sıcaklığı ile endüstriyel ortamlara uyumludur. Not: Bu bileşen yeni tasarımlar için önerilmemektedir; alternatif modern transistörler değerlendirilmelidir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition 250MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Not For New Designs
Power - Max 330 mW
Supplier Device Package PG-SOT23
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok