Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC850B-AQ
BJT SOT-23 45V 100MA
- Üretici
- Diotec Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BC850B
BC850B-AQ Hakkında
BC850B-AQ, Diotec Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, SOT-23 (TO-236) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 45V maksimum collector-emitter gerilimi ve 100mA maksimum collector akımı ile karakterize edilen bu bileşen, 250mW güç dağıtımına sahiptir. 200 minimum DC akım kazancı (2mA, 5V koşullarında) ve 300MHz transition frekansı ile orta frekans uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Düşük cutoff akımı (15nA) ve 600mV saturation gerilimi sayesinde anahtarlama ve sinyal amplifikasyon devrelerine uygulanır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ile 150°C) endüstriyel ve uzay uygulamalarında tercih edilmesini sağlar. Hafif bir pakette sunulan bu transistör, kompakt tasarımlar ve yüksek yoğunluklu PCB uygulamalarında ideal seçimdir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok